IRF150 Descripción del Transistor

Número de Parte: IRFP150N

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

1. ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

1. Disipación total del dispositivo (Pd): 160 W

1. Tensión drenaje-fuente (Vds): 100 V

1. Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

1. Corriente continua de drenaje (Id): 39 A

1. Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

1. CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

1. Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V

1. Carga de compuerta (Qg): 73.3 nC

1. Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1900 pF

1. Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.036 Ohm

1. Empaquetado / Estuche: TO247