IRF150 Descripción del Transistor

Número de Parte: IRFP150N

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

1. ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

1. Disipación total del dispositivo (Pd): 160 W

1. Tensión drenaje-fuente (Vds): 100 V

1. Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

1. Corriente continua de drenaje (Id): 39 A

1. Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

1. CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

1. Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V

1. Carga de compuerta (Qg): 73.3 nC

1. Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1900 pF

1. Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.036 Ohm

1. Empaquetado / Estuche: TO247

IRF3205 Descripción del Transistor

Descripción del Transistor  

El transistor  IRF3205  es un MOSFET de canal N de energía HEXFET® con muy baja resistencia por unidad de superficie de silicio y de rendimiento de conmutación rápida que utiliza técnicas avanzadas de procesamiento para lograr muy baja resistencia por unidad de superficie de silicio. Este beneficio, en combinación con la velocidad de conmutación rápida y el diseño del dispositivo robusto que HEXFETMOSFET de potencia son bien conocidos por, ofrece al diseñador de un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para uso en una amplia variedad de aplicaciones.

El IRF3205 recomendado para aplicaciones industriales por su alto nivel de disipación que aproximan a los 50 watts.

• Clasificación dv/dt dinámica
• Clasificado avalancha completa
• Conmutación rápida
• Voltaje de compuerta a fuente de ±20V
• Aplicaciones: Administración de Potencia

Información Básica

• Polaridad: Canal N
• Intensidad drenador continua Id: 110 A
• Tensión drenaje-fuente Vds: 55 V
• Resistencia de activación Rds(on): 8 mohm
• Tensión Vgs de medición Rds(on): 10 V
• Tensión umbral Vgs: 4 V
• Disipación de potencia Pd: 150 W
• Temperatura de operación máxima: 175°C
• Encapsulado TO-220
• 3 pines

Sustituto

NTE2991